ダマシン法｜前工程 › 配線形成

ダマシン法は、絶縁膜に配線の溝やビアの穴を掘って金属を埋め、はみ出した分をCMP（化学機械研磨）で削り落として配線を作る方式である。銅はエッチングで削りにくいため、金属を削って線を残す従来の順序を逆にしたこの方式が銅配線で使われるようになった。シングルダマシンの工程は、RIE（反応性イオンエッチング）、スパッタ、Cu電解めっき、アニール、CMPの順に進む¹。

分類上の位置

工程の分類›前工程›配線形成› ダマシン法

配線形成の下にある工程で、同じ分類にはほかに8工程がある。

下位の工程

• デュアルダマシン：デュアルダマシンは、絶縁膜に掘った配線の溝と、その下の層へつながるビアの穴を、一度の金属埋め込みとCMPでまとめて仕上げるダマシン法の一形態である。

工程の流れ

Cuダマシン配線（シングル）は、電子情報通信学会 知識ベース「10群2編4章 プロセスモジュール技術」（2010）¹によると次の順に進む。

1. RIE（反応性イオンエッチング）
2. スパッタ
3. Cu電解めっき
4. アニール・熱処理
5. CMP（化学機械研磨）

関連ページ

• 用語集ダマシン法の詳しい解説
• 前工程ダマシン配線の3モデルを3Dで比較
• 前工程Cuはライナーの薄膜化と新しいlow-kで24 nmピッチまで持つ
• 後工程ダマシンで作るhybrid bondingの接合面
• 前工程Ru配線の装置、Cu延命側は出荷済み

同じ分類の工程

BSPDN（裏面電源供給）、ボトムライナーレスビア形成、コバルト配線形成、Cuリフロー、SAV（自己整合ビア形成）、セミダマシン配線形成、サブトラクティブ配線（金属直接エッチ）、エアギャップ形成

出典

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   電子情報通信学会 知識ベース「10群2編4章 プロセスモジュール技術」（2010）ieice-hbkb.org ↩ab