スパッタ前工程 › 成膜 › PVD（物理気相成長）・スパッタ
スパッタは、真空容器内でアルゴンなどのガスをプラズマにし、そのイオンを固体のターゲットに勢いよく当てて原子を弾き出し、それをウェーハ上に積もらせる成膜方法である。固体から原子を直接取り出すため、ターゲットの組成がほぼそのまま膜に移り、金属配線や電極、配線のバリア膜やシード膜の形成に使われる。PVDの中で半導体前工程の主力を占め、穴の底への付着を改善したLTS（ロングスロースパッタ）などの変形がある。
分類上の位置
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PVD（物理気相成長）・スパッタの下にある工程で、同じ分類にはほかに2工程がある。
- LTS（ロングスロースパッタ）：LTS（ロングスロースパッタ）は、ターゲットと基板の距離を長く取ることで、基板へ届く粒子を向きのそろったものに絞るスパッタ成膜である。
この工程は、コンタクトプラグ形成の「Wプラグ（ブランケットW）」、ダマシン法の「Cuダマシン配線（シングル）」、デュアルダマシンの「デュアルダマシン（ビアファースト）」、RDL（再配線層）形成の「セミアディティブ型RDL（6段）」、サブトラクティブ配線（金属直接エッチ）の「AlCu配線（サブトラクティブ）」、前工程の「SEAJ工程図の前工程（インゴットからウェーハ検査まで）」の手順の一部として出てくる。
- スパッタリング装置