コンテンツにスキップ

RDL（再配線層）形成｜後工程 › 先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット） › バンプ・RDL（再配線層）形成

RDL（再配線層）形成は、チップの電極につながる絶縁層と配線層を追加し、細かく密に並んだ電極を外部とつなぎやすい位置と間隔へ引き直す工程である。前工程で作る電極と基板側の端子の間隔の差を埋め、チップの設計を変えずに外側の要求へ合わせられる。セミアディティブ型では、絶縁膜のスピンコート・露光・現像の後、スパッタでシード層を付け、リソグラフィ、Cu電解めっき、レジスト剥離、シード層のフラッシュエッチングと進む。

分類上の位置

工程の分類›後工程›先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット）›バンプ・RDL（再配線層）形成› RDL（再配線層）形成

バンプ・RDL（再配線層）形成の下にある工程で、同じ分類にはほかに3工程がある。

下位の工程

ファンアウトRDL形成：ファンアウトRDL形成は、チップの狭い間隔で並ぶ端子から配線を引き、チップの外周を越えたパッケージ外側に広い間隔の端子として出す再配線層を作る工程である。

工程の流れ

セミアディティブ型RDL（6段）は、SemiMap 半導体用語集「RDL（再配線層）」¹によると次の順に進む。

この工程は、WLP（ウェーハレベルパッケージ）の「ファンインWLP」の手順の一部として出てくる。

関連ページ

同じ分類の工程

Cuピラーバンプ形成、UBM（アンダーバンプメタル）形成、マイクロバンプ形成

出典

1件を表示

1
SemiMap 半導体用語集「RDL（再配線層）」semimap.ai ↩