UBM（アンダーバンプメタル）形成｜後工程 › 先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット） › バンプ・RDL（再配線層）形成

UBM（アンダーバンプメタル）形成は、チップの電極とバンプの間に、密着・拡散の抑制・めっきやはんだとの接続を担う金属膜を重ねて作る工程である。バンプ接続の強さと抵抗は、下地電極、この金属膜、その上のめっきやはんだが作る界面で決まる。めっきでバンプを作る構成では、電極を清浄化してからPVDなどで下地金属を堆積し、レジストでバンプ位置を開けてめっきし、レジストを除いた後に不要な下地金属をエッチングで除く。無電解めっきで電極の上へ直接UBMを付ける構成もある。