Cuピラーバンプ形成｜後工程 › 先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット） › バンプ・RDL（再配線層）形成

Cuピラーバンプ形成は、ウェーハのパッド上にめっきで銅の柱を立て、その先端に少量のはんだを載せた接続端子を作る工程である。はんだの球は押し付けると横へ広がるが、銅の柱は形を保つため、端子間隔を詰めても隣と触れにくい。はんだバンプと比べると、柱が形を保つぶん端子数の増加と狭いパッド間隔に有利で、銅ははんだより電気を通しやすいため導電性でも勝る。