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マイクロバンプ形成|後工程 › 先端パッケージ(2.5D・3D・チップレット) › バンプ・RDL(再配線層)形成

マイクロバンプ形成は、チップどうしを接合するための、ごく狭い間隔で並ぶバンプ電極を作る工程である。間隔を詰めるほど同じ面積に通せる接続が増え、チップ間の帯域が上がる。パッケージと基板をつなぐはんだボールより細かい間隔で、代表的な構成では銅の柱とはんだで接合する。さらに間隔を詰める次の手段として、バンプを使わないハイブリッドボンディングがある。

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バンプ・RDL(再配線層)形成の下にある工程で、同じ分類にはほかに3工程がある。

Cuピラーバンプ形成、UBM(アンダーバンプメタル)形成、RDL(再配線層)形成