バンプ・RDL（再配線層）形成｜後工程 › 先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット）

バンプ・RDL（再配線層）形成は、ウェーハ上のチップ電極に、外部やほかのチップとつなぐ突起電極（バンプ）と、電極の位置を引き直す配線層を作る工程群である。共通するのは、チップの細かな電極を次の接合工程に合う配置と形状へ整えることにある。UBM形成、Cuピラーバンプ形成、マイクロバンプ形成、RDL形成を含み、めっきバンプはプリクリーン、UBM成膜、リソグラフィ、めっき、レジスト剥離、UBMエッチングの順に作る。

分類上の位置

工程の分類›後工程›先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット）› バンプ・RDL（再配線層）形成

先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット）の下にある工程で、同じ分類にはほかに5工程がある。

下位の工程

Cuピラーバンプ形成：Cuピラーバンプ形成は、ウェーハのパッド上にめっきで銅の柱を立て、その先端に少量のはんだを載せた接続端子を作る工程である。
UBM（アンダーバンプメタル）形成：UBM（アンダーバンプメタル）形成は、チップの電極とバンプの間に、密着・拡散の抑制・めっきやはんだとの接続を担う金属膜を重ねて作る工程である。
RDL（再配線層）形成：RDL（再配線層）形成は、チップの電極につながる絶縁層と配線層を追加し、細かく密に並んだ電極を外部とつなぎやすい位置と間隔へ引き直す工程である。
マイクロバンプ形成：マイクロバンプ形成は、チップどうしを接合するための、ごく狭い間隔で並ぶバンプ電極を作る工程である。

工程の流れ

UBMからバンプ形成まで（めっきバンプ）は、SemiMap 半導体用語集「UBM（アンダーバンプメタル）」（出典: Applied Materials HBM）¹によると次の順に進む。

この工程は、FOWLP（ファンアウトウェーハレベルパッケージ）の「ファンアウトWLP（再構成ウェーハ）」、WLP（ウェーハレベルパッケージ）の「ファンインWLP」の手順の一部として出てくる。

使う装置

バンプめっき装置

同じ分類の工程

TSV（シリコン貫通電極）、PLP（パネルレベルパッケージ）、WLP（ウェーハレベルパッケージ）、CoW（チップオンウェーハ）、ファンアウトパッケージング

出典

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semimap.aisemimap.ai ↩