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FOWLP(ファンアウトウェーハレベルパッケージ)|後工程 › 先端パッケージ(2.5D・3D・チップレット) › ファンアウトパッケージング

FOWLP(ファンアウトウェーハレベルパッケージ)は、個片化したダイを樹脂で封止してウェーハ状にまとめ、チップの外側まで広がる再配線層と端子をウェーハ単位で備えるパッケージ方式である。ダイを先に樹脂で固めるチップファースト型では、ダイシング、モールド・封止、ファンアウトRDL形成、バンプ形成、再度のダイシングの順に進み、封止中にダイがずれるダイシフトに合わせた露光位置の補正が要る。RDLを先に作ってからダイを載せるチップラスト型もある。

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ファンアウトパッケージングの下にある工程で、同じ分類にはほかの工程はない。

ファンアウトWLP(再構成ウェーハ)は、SemiMap 半導体用語集「WLP」(出典: Amkor WLP)1によると次の順に進む。

  1. ダイシング
  2. モールド・封止
  3. ファンアウトRDL形成
  4. バンプ・RDL(再配線層)形成
  5. ダイシング
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