ファンアウトRDL形成後工程 › 先端パッケージ(2.5D・3D・チップレット) › バンプ・RDL(再配線層)形成 › RDL(再配線層)形成
ファンアウトRDL形成は、チップの狭い間隔で並ぶ端子から配線を引き、チップの外周を越えたパッケージ外側に広い間隔の端子として出す再配線層を作る工程である。基板側が求める広い端子間隔へ変換することで、受ける基板の配線と実装の要求を緩める。ダイを先に並べて樹脂で固めるチップファースト型のファンアウトWLPでは、その再構成ウェーハの上に形成してからバンプを作る。キャリア上にRDLを先に作り、後からダイを載せるチップラスト型もある。
分類上の位置
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RDL(再配線層)形成の下にある工程で、同じ分類にはほかの工程はない。
この工程は、FOWLP(ファンアウトウェーハレベルパッケージ)の「ファンアウトWLP(再構成ウェーハ)」の手順の一部として出てくる。