WLP（ウェーハレベルパッケージ）｜後工程 › 先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット）

WLP（ウェーハレベルパッケージ）は、個片に切り分ける前のウェーハ、または個片ダイを並べ直した再構成ウェーハの状態で、全チップの封止や端子形成をまとめて行う製造方式である。個片を一つずつ扱う工程を減らせる。代表的なファンインWLPは成膜、RDL形成、バンプ形成、ウェーハテスト、バックグラインド、ダイシングの順に進み、端子をチップの面積内に収める点でファンアウト型と異なる。

分類上の位置

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先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット）の下にある工程で、同じ分類にはほかに5工程がある。

下位の工程

• ウェーハレベル気密封止：ウェーハレベル気密封止は、ウェーハ上に並ぶ多数のデバイスへ同時に蓋（キャップ）を接合し、内部の空間を外気から隔てる工程である。

工程の流れ

ファンインWLPは、SemiMap 半導体用語集「WLP」（出典: Amkor WLP）¹によると次の順に進む。

1. 成膜
2. RDL（再配線層）形成
3. バンプ・RDL（再配線層）形成
4. ウェーハテスト
5. バックグラインド・ウェーハ薄化
6. ダイシング

関連ページ

• 用語集WLP（ウェーハレベルパッケージ）の詳しい解説
• 後工程WLPの後工程、ダイシング前にバンプとRDL

同じ分類の工程

バンプ・RDL（再配線層）形成、TSV（シリコン貫通電極）、PLP（パネルレベルパッケージ）、CoW（チップオンウェーハ）、ファンアウトパッケージング

出典

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   SemiMap 半導体用語集「WLP」（出典: Amkor WLP）semimap.ai ↩