TSV（シリコン貫通電極）｜後工程 › 先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット）

TSV（シリコン貫通電極）は、シリコンのチップを厚み方向に貫き、表と裏の面を電気的につなぐ電極である。積層したチップの上下をチップの厚みだけの距離で結べ、外周を回るワイヤでは頭打ちになる接続本数を、面全体に並べて大きく増やせる。銅で埋める代表的な流れは、DRIE、残渣除去、成膜、PVD、Cu電解めっき、アニールの順に進む¹。深い穴を掘り、側壁を絶縁してから金属で埋めるのが工程の骨格である。

分類上の位置

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先端パッケージ（2.5D・3D・チップレット）の下にある工程で、同じ分類にはほかに5工程がある。

工程の流れ

Cu-TSV（ビアミドル・ビアラスト）は、Fraunhofer IZM TSV integration¹によると次の順に進む。

1. DRIE（深掘り反応性イオンエッチング）
2. PERR（エッチング後残渣除去）
3. 成膜
4. PVD（物理気相成長）・スパッタ
5. Cu電解めっき
6. アニール・熱処理

関連ページ

• 用語集TSV（シリコン貫通電極）の詳しい解説
• 装置・品質3D実装装置の競合、工程ごとに相手が変化

同じ分類の工程

バンプ・RDL（再配線層）形成、PLP（パネルレベルパッケージ）、WLP（ウェーハレベルパッケージ）、CoW（チップオンウェーハ）、ファンアウトパッケージング

出典

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   Fraunhofer IZM TSV integrationizm.fraunhofer.de ↩ab