DRIE（深掘り反応性イオンエッチング）前工程 › エッチング › ドライエッチング › RIE（反応性イオンエッチング）
DRIE（深掘り反応性イオンエッチング）は、シリコンに深い溝や穴を垂直に掘るためのドライエッチングである。通常のエッチングでは深く掘るほど入口に近い側壁が削られ続けて穴が広がるため、側壁を保護しながら掘り進めてこれを抑える。TSVやMEMSのように深い構造が要る用途で使われ、エッチングと側壁保護を交互に切り替えるボッシュプロセスが代表的な手順である。
分類上の位置
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RIE（反応性イオンエッチング）の下にある工程で、同じ分類にはほかに1工程がある。
- ボッシュプロセス：ボッシュプロセスは、シリコンを掘るガスと側壁に保護膜を積むガスを交互に流し、深い穴や溝を垂直に掘り進めるドライエッチングの手順である。
この工程は、TSV（シリコン貫通電極）の「Cu-TSV（ビアミドル・ビアラスト）」の手順の一部として出てくる。