ボッシュプロセス｜前工程 › エッチング › ドライエッチング › RIE（反応性イオンエッチング） › DRIE（深掘り反応性イオンエッチング）

ボッシュプロセスは、シリコンを掘るガスと側壁に保護膜を積むガスを交互に流し、深い穴や溝を垂直に掘り進めるドライエッチングの手順である。掘る段で底を進め、保護の段で側壁を覆うことを繰り返すため、深くなっても穴が横に広がりにくく、TSVやMEMSの深い構造に使われる。2つの段の時間配分が側壁の形と掘る速さを同時に左右し、掘る段を延ばすと保護膜が薄くなってサイドエッチが出やすくなる。