成膜｜前工程

成膜は、ウェーハの表面に絶縁膜や金属膜、半導体膜などの膜を形成する工程群である。トランジスタや配線を作るには、加工の対象となる層や保護の層を何度も積み重ねる必要があり、その都度、材料と形状に合った方法を選ぶ。ガスの化学反応で積むCVD（化学気相成長）、固体材料から粒子を飛ばすPVD・スパッタ、自己停止する表面反応を繰り返すALD（原子層堆積）、下地の結晶方位を引き継いで結晶を育てるエピタキシャル成長などがある。

分類上の位置

工程の分類›前工程› 成膜

前工程の下にある工程で、同じ分類にはほかに19工程がある。

下位の工程

CVD（化学気相成長）：CVD（化学気相成長）は、原料を含むガスを反応室へ送り込み、基板表面での化学反応によって膜を積む成膜方式である。
PVD（物理気相成長）・スパッタ：PVD（物理気相成長）・スパッタは、固体の材料をイオンの衝突や加熱によって原子・分子の状態で放出させ、それを基板上に堆積させる成膜方式の総称である。
ALD（原子層堆積）：ALD（原子層堆積）は、原料となる前駆体のガスと反応剤のガスを交互に流し、表面で自己停止する反応を繰り返して膜を少しずつ積む成膜技術である。
エピタキシャル成長：エピタキシャル成長とは、単結晶の基板の上に、基板の結晶方位をそろえたまま新しい結晶層を積み上げる成膜である。
めっき：めっきは、液の中の金属イオンを基板表面で金属として析出させ、金属膜を付ける成膜である。
選択成膜（領域選択成膜）：選択成膜（領域選択成膜）は、下地の表面状態の違いを利用して、膜を付けたい面にだけ膜を成長させ、隣の面には成長させない成膜方法である。
スピンコート：スピンコートは、基板の中央に液を供給して回転させ、遠心力で外側へ広げながら溶剤を蒸発させて均一な薄膜を塗る工程である。
ベベル成膜：ベベル成膜は、ウェーハ外周の面取り部（ベベル）とその付近に限って膜を付ける処理である。
IAP（インクジェット適応平坦化）：IAP（インクジェット適応平坦化）は、ウェーハ表面の凹凸に合わせて量を変えた液滴をインクジェットで置き、平らな板を押し当てて広げたうえで光で硬化させ、平坦な膜を作る手法である。

工程の流れ

この工程は、インナースペーサ形成の「ナノシートGAAのインナースペーサ形成」、RMG（置換メタルゲート）の「Gate-Last（プレーナ型MGHK）」、SADP（自己整合ダブルパターニング）の「SADP（スペーサ型）の5段階」、STI（シャロートレンチ分離）の「STI（浅溝分離）の基本工程」、TSV（シリコン貫通電極）の「Cu-TSV（ビアミドル・ビアラスト）」、WLP（ウェーハレベルパッケージ）の「ファンインWLP」の手順の一部として出てくる。

使う装置

薄膜形成装置
ESC（静電チャック）
RF電源

同じ分類の工程

リソグラフィ、エッチング、酸化・拡散、イオン注入、アニール・熱処理、CMP（化学機械研磨）、洗浄・表面処理、配線形成、素子分離、ゲート形成、コンタクト形成（MOL）、リフトオフ、モノリシック3D集積、逐次3D集積、サイドウォールスペーサ形成、応力ライナー形成、SMT（応力記憶技術）、層転写、ソース・ドレイン形成