ALD（原子層堆積）｜前工程 › 成膜

ALD（原子層堆積）は、原料となる前駆体のガスと反応剤のガスを交互に流し、表面で自己停止する反応を繰り返して膜を少しずつ積む成膜技術である。表面の反応サイトが埋まると反応が止まるため、膜厚はサイクル数で決まり、高アスペクト比の穴や溝の底まで同じ厚さで覆える。ガスを連続して流すCVDより成膜は遅いが、膜厚の制御性と被覆性に優れる。