エピタキシャル成長前工程 › 成膜
エピタキシャル成長とは、単結晶の基板の上に、基板の結晶方位をそろえたまま新しい結晶層を積み上げる成膜である。基板と同じ材料を育てる場合も、化合物半導体のように別の材料を重ねる場合もある。不純物濃度や組成を基板とは別に決めた、欠陥の少ない結晶層を得るために使われる。液相から育てるLPE、Siが露出した領域だけに育てるSEGのほか、気相から原料を送るCVD（化合物半導体ではMOCVD）や、分子線を当てるMBEがある。
分類上の位置
Section titled “分類上の位置”成膜の下にある工程で、同じ分類にはほかに8工程がある。
- LPE（液相エピタキシャル成長）：LPE（液相エピタキシャル成長）は、成長させたい成分を溶かし込んだ液を単結晶基板に接触させ、液から結晶を析出させて基板と同じ方位の層を育てる方法である。
- SEG（選択エピタキシャル成長）：SEG（選択エピタキシャル成長）は、Siが露出した窪みや窓の中だけに下地の方位を受け継いだ単結晶を育て、酸化膜や窒化膜で覆った面には結晶を付けない成膜である。
- シリコンエピタキシャル成長装置
- 化合物半導体エピタキシャル装置
- MOCVD装置（有機金属気相成長装置）
- MBE装置（分子線エピタキシー装置）
同じ分類の工程
Section titled “同じ分類の工程”CVD（化学気相成長）、PVD（物理気相成長）・スパッタ、ALD（原子層堆積）、めっき、選択成膜（領域選択成膜）、スピンコート、ベベル成膜、IAP（インクジェット適応平坦化）