SEG（選択エピタキシャル成長）｜前工程 › 成膜 › エピタキシャル成長

SEG（選択エピタキシャル成長）は、Siが露出した窪みや窓の中だけに下地の方位を受け継いだ単結晶を育て、酸化膜や窒化膜で覆った面には結晶を付けない成膜である。全面に育ててから不要な部分を削る方法では、窓の外の結晶を取り除く工程が別に必要になる。最初から必要な場所だけに育てればその工程をなくせる。代表的な使い道は、トランジスタのソース・ドレインの窪みを結晶で埋める工程である。