モノリシック3D集積｜前工程

モノリシック3D集積は、1枚のウェーハの上で素子の層を縦に作り重ねる集積方式で、完成したチップどうしを貼り合わせて積む方式とは異なる。CFETでは、1枚のウェーハの上でエピ成長と成膜だけで上下のチャネルを積む方式を指し、途中でウェーハ接合と層転写を挟む逐次方式と区別される。この方式は上下の層の間に位置合わせ誤差が生じず、逐次方式より面積で有利とされる一方、細く深い積層構造を一度に加工する必要があり、パターニングとエッチングの難度が上がる。