逐次3D集積前工程
逐次3D集積は、下層の素子を完成させた後、その上に薄い半導体層を貼り合わせて転写し、上層の素子を作る3D集積の方式である。上下の層をそれぞれ通常の工程で作れるため、n型とp型で別のチャネル材料や結晶方位を選べる。一方で、上層を作るときの温度を下層の素子が傷まない範囲に抑える必要がある。
分類上の位置
Section titled “分類上の位置”前工程の下にある工程で、同じ分類にはほかに19工程がある。
同じ分類の工程
Section titled “同じ分類の工程”リソグラフィ、エッチング、成膜、酸化・拡散、イオン注入、アニール・熱処理、CMP（化学機械研磨）、洗浄・表面処理、配線形成、素子分離、ゲート形成、コンタクト形成（MOL）、リフトオフ、モノリシック3D集積、サイドウォールスペーサ形成、応力ライナー形成、SMT（応力記憶技術）、層転写、ソース・ドレイン形成