ソース・ドレイン形成｜前工程

ソース・ドレイン形成とは、MOSトランジスタのゲートの両側に不純物を高濃度に含む領域を作り、電流の出入り口となる低抵抗の端子にする工程である。チャネルへ電子や正孔を供給し回収する端子がなければ、トランジスタは動作しない。注入方式の典型的な流れでは、ゲート形成の後にSDE注入を行い、必要に応じてハロー注入を加え、サイドウォールスペーサを作ってからイオン注入を行い、最後に活性化アニールを行う。

分類上の位置

工程の分類›前工程› ソース・ドレイン形成

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工程の流れ

エクステンション付きソース・ドレイン（注入方式）は、SemiMap 半導体用語集「エクステンション」¹によると次の順に進む。括弧の工程は必要に応じて行う。

1. ゲート形成
2. SDE注入（ソース・ドレインエクステンション注入）
3. （ハロー注入）
4. サイドウォールスペーサ形成
5. イオン注入
6. 活性化アニール

関連ページ

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同じ分類の工程

リソグラフィ、エッチング、成膜、酸化・拡散、イオン注入、アニール・熱処理、CMP（化学機械研磨）、洗浄・表面処理、配線形成、素子分離、ゲート形成、コンタクト形成（MOL）、リフトオフ、モノリシック3D集積、逐次3D集積、サイドウォールスペーサ形成、応力ライナー形成、SMT（応力記憶技術）、層転写

出典

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   SemiMap 半導体用語集「エクステンション」semimap.ai ↩