ハロー注入前工程 › イオン注入
ハロー注入は、MOSトランジスタのソース・ドレインエクステンションを囲むように、チャネルと同じ導電型の高濃度領域(ハローまたはポケット)を作るイオン注入である。ゲート電極を作った後に斜めから注入するため、ゲートに対して自己整合で形成できる。ゲート長を縮めるとしきい値電圧が下がるが、チャネル全体を濃くすると全てのゲート長でしきい値が上がってしまう。ハローは短いゲートだけに効く代わりに、不純物のゆらぎによるしきい値のばらつきを招く。
分類上の位置
Section titled “分類上の位置”イオン注入の下にある工程で、同じ分類にはほかに5工程がある。
この工程は、ソース・ドレイン形成の「エクステンション付きソース・ドレイン(注入方式)」の手順の一部として出てくる。
同じ分類の工程
Section titled “同じ分類の工程”イオンシャワー(広域イオン照射)、PLAD(プラズマドーピング)、PIII(プラズマ浸漬イオン注入)、単一イオン注入、SDE注入(ソース・ドレインエクステンション注入)