SDE注入（ソース・ドレインエクステンション注入）前工程 › イオン注入
SDE注入（ソース・ドレインエクステンション注入）は、ソース・ドレインの先端だけを浅く作り、ゲートの真下まで届かせるためのイオン注入である。チャネルの近くは短チャネル効果を抑えるため浅くしたいが、電流の通り道としては抵抗を低く保ちたい。そこでスペーサを付ける前に浅く注入して先端を作り、スペーサの外側に深く注入した本体とつなぐ構成で両方を満たす。周囲にはハロー注入を組み合わせることが多い。
分類上の位置
Section titled “分類上の位置”工程の分類›前工程›イオン注入› SDE注入（ソース・ドレインエクステンション注入）
イオン注入の下にある工程で、同じ分類にはほかに5工程がある。
この工程は、RMG（置換メタルゲート）の「Gate-Last（プレーナ型MGHK）」、ソース・ドレイン形成の「エクステンション付きソース・ドレイン（注入方式）」の手順の一部として出てくる。
同じ分類の工程
Section titled “同じ分類の工程”ハロー注入、イオンシャワー（広域イオン照射）、PLAD（プラズマドーピング）、PIII（プラズマ浸漬イオン注入）、単一イオン注入