イオン注入前工程
イオン注入は、ドーパントとなる元素をイオンにし、電界で加速してウェーハへ打ち込む工程である。打ち込む深さは加速エネルギーで、個数は流す電流と時間で決まるので、シリコンの電気的な性質を場所ごとに数値で作り分けられる。ただし打ち込んだだけではドーパントは電気的に働かず、乱れた結晶とともに後のアニールで整える必要がある。用途や方式によって、ハロー注入、SDE注入、PLAD（プラズマドーピング）、PIIIなどに分かれる。
分類上の位置
Section titled “分類上の位置”前工程の下にある工程で、同じ分類にはほかに19工程がある。
- ハロー注入：ハロー注入は、MOSトランジスタのソース・ドレインエクステンションを囲むように、チャネルと同じ導電型の高濃度領域（ハローまたはポケット）を作るイオン注入である。
- イオンシャワー（広域イオン照射）：イオンシャワー（広域イオン照射）は、プラズマから引き出した広い面積のイオン流を、そのまま基板に照射する処理である。
- PLAD（プラズマドーピング）：PLAD（プラズマドーピング）は、ドーパントを含むプラズマを作り、プラズマ中に置いたウェーハに負のバイアス電圧をかけて不純物を引き込むドーピング方法である。
- PIII（プラズマ浸漬イオン注入）：PIII（プラズマ浸漬イオン注入）は、基板をプラズマの中に置き、基板に電圧をかけて周囲のイオンを引き込む注入工程である。
- 単一イオン注入：単一イオン注入は、イオンを一個ずつ数えながら、狙った位置に注入する工程である。
- SDE注入（ソース・ドレインエクステンション注入）：SDE注入（ソース・ドレインエクステンション注入）は、ソース・ドレインの先端だけを浅く作り、ゲートの真下まで届かせるためのイオン注入である。
この工程は、RMG（置換メタルゲート）の「Gate-Last（プレーナ型MGHK）」、ソース・ドレイン形成の「エクステンション付きソース・ドレイン（注入方式）」、STI（シャロートレンチ分離）の「STI（浅溝分離）の基本工程」、前工程の「SEAJ工程図の前工程（インゴットからウェーハ検査まで）」の手順の一部として出てくる。
- イオン注入装置
- 大電流イオン注入装置
- 中電流イオン注入装置
- 高エネルギーイオン注入装置
- ドーピング装置
同じ分類の工程
Section titled “同じ分類の工程”リソグラフィ、エッチング、成膜、酸化・拡散、アニール・熱処理、CMP（化学機械研磨）、洗浄・表面処理、配線形成、素子分離、ゲート形成、コンタクト形成（MOL）、リフトオフ、モノリシック3D集積、逐次3D集積、サイドウォールスペーサ形成、応力ライナー形成、SMT（応力記憶技術）、層転写、ソース・ドレイン形成