単一イオン注入｜前工程 › イオン注入

単一イオン注入は、イオンを一個ずつ数えながら、狙った位置に注入する工程である。平均の注入量（ドーズ）で管理する通常のイオン注入と違い、注入する位置と個数を直接管理する。量子デバイスなどの要求に合わせて使われるが、一個の検出漏れや余分な注入が結果を変える。処理速度は低く、位置のばらつきも受け入れたうえで選ぶ方法である。