活性化アニール前工程 › アニール・熱処理
活性化アニールは、イオン注入の後にウェーハを熱処理し、格子の隙間などにとどまっているドーパントを結晶の格子位置に収めて、電子や正孔を供給する状態にする工程である。注入直後は一部のドーパントが格子間位置や複合体にあり、母結晶にも損傷が残る。この熱処理で格子を回復させ、置換位置に入るドーパントを増やす。ただし活性化に要る熱はドーパントを広げもするので、先端デバイスでは高温のまま時間をミリ秒程度に縮めて両立させる。
分類上の位置
Section titled “分類上の位置”アニール・熱処理の下にある工程で、同じ分類にはほかに9工程がある。
この工程は、ソース・ドレイン形成の「エクステンション付きソース・ドレイン（注入方式）」の手順の一部として出てくる。
同じ分類の工程
Section titled “同じ分類の工程”FGA（フォーミングガスアニール）、炉アニール（バッチ式熱処理）、レーザアニール、ミリ秒アニール、接合後アニール、PDA（成膜後アニール）、RTP（急速熱処理）、SPE（固相エピタキシャル成長）、マイクロ波アニール