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PDA(成膜後アニール)|前工程 › アニール・熱処理

PDA(成膜後アニール)は、薄膜を成膜した直後に行う熱処理で、膜の原子配列や結晶の状態を変えて膜の状態を整える。高誘電率膜のゲートスタックでは、ALD(原子層堆積)でHfO₂を成膜した後に入れる。熱処理は膜を整える一方で新しい欠陥を作ることもあり、工程の最後に行うFGA(フォーミングガスアニール)で回復させた測定例もある。どの熱処理をどの順で入れるかが、ゲートスタックの特性を左右する。

工程の分類›前工程›アニール・熱処理› PDA(成膜後アニール)

アニール・熱処理の下にある工程で、同じ分類にはほかに9工程がある。

活性化アニール、FGA(フォーミングガスアニール)、炉アニール(バッチ式熱処理)、レーザアニール、ミリ秒アニール、接合後アニール、RTP(急速熱処理)、SPE(固相エピタキシャル成長)、マイクロ波アニール