インナースペーサ形成｜前工程 › サイドウォールスペーサ形成

インナースペーサ形成は、ナノシートGAAトランジスタで犠牲層のSiGeを横方向にわずかに後退させ、できたくぼみに誘電体を詰めて、ゲートとソース・ドレインを内側から隔てる膜を作る工程である。シートの間には通常のサイドウォールスペーサが届かないため、この膜がないとゲートとソース・ドレインが近づいて寄生容量が増える。後のチャネルリリースでSiGeをエッチングする際に、PMOSのソース・ドレインを守る役割もある。