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バックグラインド・ウェーハ薄化|後工程

バックグラインド・ウェーハ薄化とは、表面の回路を作り終えたウェーハの裏面を研削や研磨・エッチングで削り、厚みを減らす工程である。ウェーハの厚みは前工程で割れずに搬送するためのもので、回路が完成した後は、チップの積層やTSV(シリコン貫通電極)の貫通、放熱経路の短縮に適した薄さまで落とす。研削の後には損傷層を除く薄化後ストレスリリーフを行い、TSVを持つウェーハでは電極の底を出すTSV露出へ進む。

工程の分類›後工程› バックグラインド・ウェーハ薄化

後工程の下にある工程で、同じ分類にはほかに10工程がある。

この工程は、DBG(ダイシング・ビフォア・グラインディング)の「DBG(ハーフカット後の裏面研削で分割)」、SDBG(ステルスダイシング・ビフォア・グラインディング)の「SDBG(DAF付きの場合を含む)」、WLP(ウェーハレベルパッケージ)の「ファンインWLP」の手順の一部として出てくる。

  • バックグラインダ(裏面研削盤)
  • バックグラインド用テープ貼付機
  • バックグラインド用テープ剥離機

ダイシング、ボンディング、モールド・封止、アンダーフィル、パッケージ基板・インターポーザ、先端パッケージ(2.5D・3D・チップレット)、リッドアタッチ(蓋接合)、パッケージマーキング、トリム&フォーム(リード切断・成形)、表面保護テープ貼付(BGテープ貼付)