露光｜前工程 › リソグラフィ

露光は、ウェーハ上のレジストなどに光や電子線を当て、あるいは型を押し当てて、加工する場所の形を写し込む工程で、代表的にはフォトマスクの回路パターンを光で転写する。光や電子線が当たった部分と当たらなかった部分でレジストの溶けやすさが変わり、現像後に残った形が、削る・積む・打ち込むといった加工を行う場所を指定する。光源にはDUV、EUV、水銀ランプのi線などが使われ、マスクを使わない直接描画、干渉縞で周期パターンを作る干渉露光、外周だけを露光するWEE、型で形を写すナノインプリントもこの分類に入る。

分類上の位置

工程の分類›前工程›リソグラフィ› 露光

リソグラフィの下にある工程で、同じ分類にはほかに5工程がある。

下位の工程

DUV露光（深紫外線露光）：DUV露光（深紫外線露光）は、ArFやKrFのエキシマレーザが出す深紫外線を使い、マスクのパターンをウェーハ上のレジストへ転写する露光方式の総称である。
i線露光：i線露光は、水銀ランプが出す紫外線のうちi線と呼ばれる輝線を使って、マスクのパターンをレジストへ転写する露光である。
EUV露光（極端紫外線露光）：EUV露光（極端紫外線露光）は、波長13.5nmの極端紫外線でマスクのパターンをレジストへ転写する露光方式である。
マスクレス露光（直接描画露光）：マスクレス露光（直接描画露光）は、フォトマスクを使わず、設計データに従ってレーザ光などをレジスト上で走査し、パターンを直接描く露光である。
EBL（電子線直接描画）：EBL（電子線直接描画）は、細く絞った電子ビームをレジスト上で走査し、マスクを介さずにパターンを直接描く露光である。
NIL（ナノインプリントリソグラフィ）：NIL（ナノインプリントリソグラフィ）は、微細な凹凸を刻んだ型（モールド）を基板上の樹脂に押し付け、その形を写し取ってパターンを作るリソグラフィ工程である。
干渉露光：干渉露光は、複数の光束を重ね合わせて生じる明暗の縞をレジストに当て、周期的なパターンを転写する露光である。
WEE（ウェーハ周辺露光）：WEE（ウェーハ周辺露光）は、ウェーハ外周のレジストだけを専用のユニットで別に露光し、後の現像で落とせるようにする工程である。

工程の流れ

この工程は、LFLE（リソ・フリーズ・リソ・エッチ）の「LFLE（2回の露光と1回の転写）」、リソグラフィの「フォトレジストの塗布から剥離まで（11工程）」、RDL（再配線層）形成の「セミアディティブ型RDL（6段）」、前工程の「SEAJ工程図の前工程（インゴットからウェーハ検査まで）」の手順の一部として出てくる。

使う装置

露光・描画装置
投影露光装置（ステッパ・スキャナ）
コンタクト・プロキシミティ露光装置（マスクアライナ）

同じ分類の工程

塗布・現像、計算機リソグラフィ、DSA（誘導自己組織化）、マルチパターニング（多重パターニング）、リソグラフィリワーク（レジスト剥離・再処理）