i線露光前工程 › リソグラフィ › 露光
i線露光は、水銀ランプが出す紫外線のうちi線と呼ばれる輝線を使って、マスクのパターンをレジストへ転写する露光である。エキシマレーザを使うDUV露光より波長が長く解像力は低いが、光源と装置が比較的簡素で、寸法の大きな層やパワー半導体、後工程の再配線などで使われる。g線露光の後継にあたり、ステッパやマスクアライナで広く用いられてきた。
分類上の位置
Section titled “分類上の位置”露光の下にある工程で、同じ分類にはほかに7工程がある。
同じ分類の工程
Section titled “同じ分類の工程”DUV露光(深紫外線露光)、EUV露光(極端紫外線露光)、マスクレス露光(直接描画露光)、EBL(電子線直接描画)、NIL(ナノインプリントリソグラフィ)、干渉露光、WEE(ウェーハ周辺露光)