EBL(電子線直接描画)前工程 › リソグラフィ › 露光
EBL(電子線直接描画)は、細く絞った電子ビームをレジスト上で走査し、マスクを介さずにパターンを直接描く露光である。電子の波長は光よりはるかに短く、光の露光より細かい図形を描ける。描画を順に進めるので処理速度は遅く、量産のウェーハ露光より研究開発での試作や少量品に使われる。同じ電子ビーム描画の原理は、フォトマスクのパターン描画にも使われる。
分類上の位置
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露光の下にある工程で、同じ分類にはほかに7工程がある。
- 電子ビーム露光装置
同じ分類の工程
Section titled “同じ分類の工程”DUV露光(深紫外線露光)、i線露光、EUV露光(極端紫外線露光)、マスクレス露光(直接描画露光)、NIL(ナノインプリントリソグラフィ)、干渉露光、WEE(ウェーハ周辺露光)