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WEE(ウェーハ周辺露光)|前工程 › リソグラフィ › 露光

WEE(ウェーハ周辺露光)は、ウェーハ外周のレジストだけを専用のユニットで別に露光し、後の現像で落とせるようにする工程である。外周部は露光装置の露光対象から外れることがあり、ポジ型レジストでは未露光の外周の膜が現像後も残って、搬送中に剥がれるとパーティクルの発生源になる。溶剤で縁を溶かすEBRとは異なり、光と現像を使って外周の膜を除く。

工程の分類›前工程›リソグラフィ›露光› WEE(ウェーハ周辺露光)

露光の下にある工程で、同じ分類にはほかに7工程がある。

  • ウェーハ周辺露光装置

DUV露光(深紫外線露光)、i線露光、EUV露光(極端紫外線露光)、マスクレス露光(直接描画露光)、EBL(電子線直接描画)、NIL(ナノインプリントリソグラフィ)、干渉露光