マスクレス露光(直接描画露光)前工程 › リソグラフィ › 露光
マスクレス露光(直接描画露光)は、フォトマスクを使わず、設計データに従ってレーザ光などをレジスト上で走査し、パターンを直接描く露光である。マスクを作る費用と時間がかからないため、試作や少量品、パッケージ基板の配線のように品種の多い用途で利点がある。一方、パターンを順に描くので、マスクの像を一括で写す投影露光より処理速度は遅い。
分類上の位置
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露光の下にある工程で、同じ分類にはほかに7工程がある。
- レーザー直接描画装置(マスクレス露光装置)
同じ分類の工程
Section titled “同じ分類の工程”DUV露光(深紫外線露光)、i線露光、EUV露光(極端紫外線露光)、EBL(電子線直接描画)、NIL(ナノインプリントリソグラフィ)、干渉露光、WEE(ウェーハ周辺露光)