DUV露光（深紫外線露光）前工程 › リソグラフィ › 露光
DUV露光（深紫外線露光）は、ArFやKrFのエキシマレーザが出す深紫外線を使い、マスクのパターンをウェーハ上のレジストへ転写する露光方式の総称である。EUVより波長は長いものの、チップを構成する多数の層のうち最先端の寸法を要しない層を、装置の費用と生産能力の面で有利に露光するために使われ続けている。光源の違いでArF露光とKrF露光に分かれ、ArFには液浸方式もある。
分類上の位置
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露光の下にある工程で、同じ分類にはほかに7工程がある。
- ArF露光（フッ化アルゴンエキシマ露光）：ArF露光（フッ化アルゴンエキシマ露光）は、フッ化アルゴンのエキシマレーザが発する深紫外線を光源にして、マスクのパターンをウェーハ上のレジストへ縮小投影する露光である。
- KrF露光（フッ化クリプトンエキシマ露光）：KrF露光（フッ化クリプトンエキシマ露光）は、フッ化クリプトンのエキシマレーザが発する深紫外線を光源にして、マスクのパターンをレジストへ転写する露光である。
同じ分類の工程
Section titled “同じ分類の工程”i線露光、EUV露光（極端紫外線露光）、マスクレス露光（直接描画露光）、EBL（電子線直接描画）、NIL（ナノインプリントリソグラフィ）、干渉露光、WEE（ウェーハ周辺露光）