EUV露光（極端紫外線露光）前工程 › リソグラフィ › 露光
EUV露光（極端紫外線露光）は、波長13.5nmの極端紫外線でマスクのパターンをレジストへ転写する露光方式である。DUVの193nmより短い波長を使うことで、回折で決まる分離の限界を下げ、より細かいパターンを描ける。この光はガラスにも空気にも強く吸収されるため、光学系は鏡で組まれ、光路は真空に保たれる。開口数を高めたHigh-NA EUV露光が後継にあたる。
分類上の位置
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露光の下にある工程で、同じ分類にはほかに7工程がある。
- High-NA EUV露光（高開口数EUV露光）：High-NA EUV露光（高開口数EUV露光）は、EUV露光装置の開口数を従来の0.33から0.55へ上げ、同じ13.5nmの波長のまま、より細い寸法を転写する露光である。
- EUV露光装置（EUVスキャナ）
同じ分類の工程
Section titled “同じ分類の工程”DUV露光（深紫外線露光）、i線露光、マスクレス露光（直接描画露光）、EBL（電子線直接描画）、NIL（ナノインプリントリソグラフィ）、干渉露光、WEE（ウェーハ周辺露光）