High-NA EUV露光（高開口数EUV露光）前工程 › リソグラフィ › 露光 › EUV露光（極端紫外線露光）
High-NA EUV露光（高開口数EUV露光）は、EUV露光装置の開口数を従来の0.33から0.55へ上げ、同じ13.5nmの波長のまま、より細い寸法を転写する露光である。低NAでは多重露光が必要だった細かいパターンを1回で引けるため、工程数とCO2排出を減らせる。代わりに焦点深度が浅くなりレジストは薄く、露光野は半分になるため、大きな回路はハーフフィールドスティッチングでつなぐ。
分類上の位置
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EUV露光（極端紫外線露光）の下にある工程で、同じ分類にはほかの工程はない。
- ハーフフィールドスティッチング：ハーフフィールドスティッチングは、1回のショットに収まらない回路を2枚のマスクで2回に分けて露光し、ウェーハ上で1つの回路としてつなぎ合わせる工程である。