ハーフフィールドスティッチング｜前工程 › リソグラフィ › 露光 › EUV露光（極端紫外線露光） › High-NA EUV露光（高開口数EUV露光）

ハーフフィールドスティッチングは、1回のショットに収まらない回路を2枚のマスクで2回に分けて露光し、ウェーハ上で1つの回路としてつなぎ合わせる工程である。高NA EUVでは露光野が従来の半分になるため、大きなチップを作るにはこの分割が必要になる。2回の露光の境界でパターンの位置と寸法をそろえる合わせ精度が難しさの中心となる。