SAP（セミアディティブ法）｜後工程 › パッケージ基板・インターポーザ

SAP（セミアディティブ法）は、絶縁層の上に作った薄い導電層（シード層）を下地にして、レジストで開けた回路部分だけへ銅を電解めっきで育て、最後に回路間のシード層を除いて配線を作る方法である。配線を太らせるめっきと配線間を絶縁する薄いシードの除去を組み合わせるため、細い配線を作りやすい。絶縁フィルムのラミネート、ビア形成、デスミア、無電解めっき、リソグラフィ、Cu電解めっき、レジスト剥離、シード層のフラッシュエッチングの順に進む。

分類上の位置

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パッケージ基板・インターポーザの下にある工程で、同じ分類にはほかに6工程がある。

工程の流れ

SAP（セミアディティブ法）は、SemiMap 半導体用語集「SAP（セミアディティブ法）」（出典: Atotech 2019）¹によると次の順に進む。

1. 絶縁フィルムラミネート（ビルドアップ層の積層）
2. ビア形成（レーザー穴あけ）
3. デスミア（ビア内残渣除去）
4. 無電解めっき
5. リソグラフィ
6. Cu電解めっき
7. アッシング・レジスト剥離
8. シード層フラッシュエッチング

関連ページ

• 用語集SAP（セミアディティブ法）の詳しい解説

同じ分類の工程

mSAP（改良型セミアディティブ法）、ガラスコア基板、ビルドアップ基板、ビア形成（レーザー穴あけ）、デスミア（ビア内残渣除去）、絶縁フィルムラミネート（ビルドアップ層の積層）

出典

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   semimap.aisemimap.ai ↩