ビア形成（レーザー穴あけ）後工程 › パッケージ基板・インターポーザ
ビア形成（レーザー穴あけ）は、パッケージ基板の絶縁樹脂層にレーザーで細い穴を開け、下層の銅配線の接続ランドまで届く開口を作る工程である。この開口が、めっき後に上下の配線層をつなぐ導電ビアの土台になる。ビルドアップ層の流れでは絶縁フィルムのラミネートの後に行い、続くデスミアで穴の中の樹脂残渣を除いてから無電解めっきで導電化する。
分類上の位置
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パッケージ基板・インターポーザの下にある工程で、同じ分類にはほかに6工程がある。
この工程は、ビルドアップ基板の「ビルドアップ層1層分」、mSAP（改良型セミアディティブ法）の「mSAP（極薄銅箔を使う改良型）」、SAP（セミアディティブ法）の「SAP（セミアディティブ法）」の手順の一部として出てくる。
同じ分類の工程
Section titled “同じ分類の工程”SAP（セミアディティブ法）、mSAP（改良型セミアディティブ法）、ガラスコア基板、ビルドアップ基板、デスミア（ビア内残渣除去）、絶縁フィルムラミネート（ビルドアップ層の積層）