無電解めっき前工程 › 成膜 › めっき
無電解めっきは、外部電源から電流を流さず、薬液中の還元反応や置換反応で表面に金属膜を析出させるめっきである。電極をつなぎにくい形状でも金属を付けられる点が、通電して析出させる電解めっきとの違いである。還元剤を使う方式は触媒となる表面で反応が進み、表面の活性と液の安定性に依存する。代表例は、銅の接続面にニッケルと金を重ねるENIGや、間にパラジウムを挟むENEPIGである。
分類上の位置
Section titled “分類上の位置”めっきの下にある工程で、同じ分類にはほかに2工程がある。
- ENIG（無電解ニッケル・置換金めっき）：ENIG（無電解ニッケル・置換金めっき）は、銅の接続面に無電解めっきでニッケル層を作り、その上に置換反応で薄い金を付ける表面仕上げである。
- ENEPIG（無電解ニッケル・パラジウム・置換金めっき）：ENEPIG（無電解ニッケル・パラジウム・置換金めっき）は、銅の上に無電解ニッケル、無電解パラジウム、置換金を順に重ねる表面仕上げである。
- 置換スズめっき：置換スズめっきは、銅の接続面を薬液に浸し、表面の銅とスズを入れ替える置換反応でスズの層を形成する表面仕上げである。
- 無電解ニッケルめっき：無電解ニッケルめっきは、外部から電流を流さず、薬液に含まれる還元剤の働きでニッケルを表面に析出させるめっきである。
- 無電解パラジウムめっき：無電解パラジウムめっきは、電流を流さずに薬液中の還元反応でパラジウムの膜を析出させるめっきである。
- 置換金めっき：置換金めっきは、下地の金属が液に溶け出すのと入れ替わりに、液中の金イオンが表面に析出する置換反応で薄い金の膜を付けるめっきである。
この工程は、ビルドアップ基板の「ビルドアップ層1層分」、mSAP（改良型セミアディティブ法）の「mSAP（極薄銅箔を使う改良型）」、SAP（セミアディティブ法）の「SAP（セミアディティブ法）」の手順の一部として出てくる。