高アスペクト比エッチング｜前工程 › エッチング › ドライエッチング

高アスペクト比エッチングは、幅に比べて極端に深い穴や溝を積層膜や基板に開けるドライエッチングで、3D NANDのチャネルホールのように多数の層を貫く構造を作るために使われる。穴が深くなるほど底まで届く反応種が減り、側面に当たる分が増えるため、深く掘るほど形を保つのが難しくなる。3D NANDでは、1回のエッチングで開けられる深さと掘る時間が、積層の設計と工場の生産速度に関わる。