MOCVD（有機金属気相成長）｜前工程 › 成膜 › CVD（化学気相成長）

MOCVD（有機金属気相成長）は、GaやAlのような金属を有機金属化合物として気化させて反応室へ運び、基板上で分解・反応させて膜を成長させるCVDである。代表的には、GaNやGaAsなどの化合物半導体を、下地の結晶方位を引き継ぐエピタキシャル層として育てるために使われる。原料が気相で分解するか表面で分解するかのバランスを、基板の回転数や成長圧力、温度で調整する。