APCVD（常圧CVD）とは
THEME 02 パターン形成 · 成膜の作り込みAtmospheric Pressure CVD
APCVD（常圧CVD）（Atmospheric Pressure CVD）とは、大気圧付近で原料ガスを反応させ、基板へ薄膜を形成するCVD工程です。真空へ大きく減圧するLPCVDとは、ガスの輸送と反応の条件が異なります。
減圧設備への依存を減らせますが、気相反応やガス流れの影響を受けます。平面の成膜速度と、深い構造の被覆性を別々に評価します。
APCVD（常圧CVD）の仕組み
Section titled “APCVD（常圧CVD）の仕組み”工程の仕組み
APCVD（常圧CVD）の工程では1、大気圧付近で原料ガスを反応させ、基板へ薄膜を形成するCVD工程です。真空へ大きく減圧するLPCVDとは、ガスの輸送と反応の条件が異なります。
前後の工程と処理順
Section titled “前後の工程と処理順”加熱した基板へ原料を供給し、表面で反応させて膜を作ります。生成物を排出し、必要な膜厚になったら供給を止めます。成膜後の熱処理や平坦化へつなぎます。
管理する条件
Section titled “管理する条件”供給と被覆
温度、原料濃度、ガス流れ、反応域を管理します。気相で粒子ができる反応と基板上の成膜を区別し、膜厚、組成、欠陥を確認します。
APCVD（常圧CVD）後に確認すること
Section titled “APCVD（常圧CVD）後に確認すること”成膜後は、膜厚、面内均一性、組成、抵抗、密着、段差被覆を確認します。平均膜厚だけが合っても、ホール底や側壁が薄ければ配線不良になります。原料供給、表面反応、輸送、排気のどこが律速かを見て、成膜速度と膜質を分けて調整します。
よくある質問（FAQ）
Section titled “よくある質問（FAQ）”APCVD（常圧CVD）は何をする工程ですか？
大気圧付近で原料ガスを反応させ、基板へ薄膜を形成するCVD工程です。真空へ大きく減圧するLPCVDとは、ガスの輸送と反応の条件が異なります。
どの段階で行いますか？
加熱した基板へ原料を供給し、表面で反応させて膜を作ります。生成物を排出し、必要な膜厚になったら供給を止めます。成膜後の熱処理や平坦化へつなぎます。
どこを管理しますか？
温度、原料濃度、ガス流れ、反応域を管理します。気相で粒子ができる反応と基板上の成膜を区別し、膜厚、組成、欠陥を確認します。
比較・違いを学ぶ
Section titled “比較・違いを学ぶ”1件を表示
- 1SEAJ 半導体製造装置用語集seaj.or.jp ・ 2026年10月12日閲覧 ↩