ハンプフリーめっきとは

ハンプフリーめっき（Hump-Free / Planar Plating）とは、めっきした金属膜の段差を小さくし、後のCMPで均一に除去しやすくする工程です。穴の埋込みを進めながら、パターン上の盛り上がりを抑えます。

平坦なめっきはCMPの負担を減らせますが、平坦化だけを優先すると穴の充填が不足する場合があります。ボイドのない埋込みと、小さい表面段差を同時に確認します。

ハンプフリーめっきの仕組み

工程の仕組み

めっきは穴を埋める成長と表面の成長を同時に進めます。表面の段差を抑えると、後のCMPの負担を減らせます。

ハンプフリーめっきの工程では¹、めっきした金属膜の段差を小さくし、後のCMPで均一に除去しやすくする工程です。穴の埋込みを進めながら、パターン上の盛り上がりを抑えます。

前後の工程と処理順

銅などをめっきで埋め込むと、パターンの上へ余分な盛り上がりが生じます。薬液と添加剤、電流と液の供給を設計して、埋込みと表面の成長を調整します。

管理する条件

供給と被覆

原料がどこへ届くかで膜厚が変わります。表面だけでなく、開口の底と側壁が必要な厚さになったかを確認します。

穴の充填、膜厚差、液の流れと添加剤を管理します。段差が大きいとCMPで先に削れる場所と後まで残る場所が分かれ、過剰な研磨が必要になります。

ハンプフリーめっき後に確認すること

Planner Platingとして説明されるハンプフリーめっき²後は、穴の充填、ボイド、表面の盛り上がり量、overburden厚と面内均一性を確認します。穴が埋まっていても上面のhumpが大きければ、後段CMPで研磨残りや局所過研磨が生じます。めっき浴と電流条件を、充填形状とCMPの除去余裕へ対応付けます。

よくある質問（FAQ）

ハンプフリーめっきは何をする工程ですか？

めっきした金属膜の段差を小さくし、後のCMPで均一に除去しやすくする工程です。穴の埋込みを進めながら、パターン上の盛り上がりを抑えます。

どの段階で行いますか？

銅などをめっきで埋め込むと、パターンの上へ余分な盛り上がりが生じます。薬液と添加剤、電流と液の供給を設計して、埋込みと表面の成長を調整します。

どこを管理しますか？

穴の充填、膜厚差、液の流れと添加剤を管理します。段差が大きいとCMPで先に削れる場所と後まで残る場所が分かれ、過剰な研磨が必要になります。

比較・違いを学ぶ

• CVD ── 関連する工程・材料の説明
• ALD ── 関連する工程・材料の説明

関連用語

• CVD（化学気相成長）とは
• ALD（原子層堆積）とは
• PVD（物理気相成長）とは

同じ分類「成膜の作り込み」の用語（14語のうち8語）

• APCVD（常圧CVD）とは
• LTS（ロングスロースパッタ）とは
• インキュベーション時間とは
• コンフォーマリティとは
• シームとは
• チャージングダメージとは
• パージ時間とは
• 核形成遅れとは

半導体用語集の「成膜の作り込み」へ戻る

出典

2件を表示

1. 1
   SEAJ 半導体製造装置用語集seaj.or.jp/…/words.html ・ 2026年10月12日閲覧 ↩
2. 2
   SEAJ 半導体製造装置用語集seaj.or.jp/…/2012wafer.pdf ・ 2026年10月12日閲覧 ↩