ダイポール層形成｜前工程 › ゲート形成

ダイポール層形成は、ゲート絶縁膜のSiO2界面層とhigh-k膜の間に、原子層程度の厚さの金属酸化物を導入する工程である。界面に直接挟んで積む方法のほか、high-k膜の上に付けて熱処理で界面まで拡散させる方法もある。界面にできる電荷の偏り（分極）がゲートの実効的な仕事関数をずらし、しきい値電圧を調整する。仕事関数金属を変える方法よりごく薄い層で調整でき、複数のしきい値の作り分けに使われる。