リモート界面層スカベンジング｜前工程 › ゲート形成

リモート界面層スカベンジングは、high-kゲート絶縁膜の下にあるSiO2の界面層から、上に積んだ層に酸素を引き抜かせ、熱処理で界面層を薄くする工程である。界面層は誘電率が低いため、厚く残るとゲート絶縁膜全体の酸化膜換算膜厚（EOT）が下がらない。酸素を奪う層は界面層に直接触れず、high-k膜を挟んだ上側に置かれる。