MDI（中間誘電体分離）｜前工程 › 素子分離

MDI（中間誘電体分離）は、CFETで上下に重ねたnFETとpFETのゲートの間に、上下を隔てる誘電体の仕切りを作る工程モジュールである。この仕切りで上下のゲートが分かれるので、上と下のトランジスタに異なる仕事関数金属を使い分け、しきい値電圧を別々に設定できる。素子を縦に重ねるCFETに特有の工程で、基板の面内で素子を隔てるSTIなどとは仕切る向きが異なる。