電荷トラップ層分断（CTカット）｜前工程 › 素子分離

電荷トラップ層分断（CTカット）は、3D NANDフラッシュで縦に積んだメモリセルの間で、電荷を蓄える窒化膜（電荷トラップ層）を層ごとに切り離す工程である。電荷トラップ層が積層方向につながっていると、蓄えた電荷が隣のセルへ移動し、データ保持の劣化やセル間の干渉の原因になる。そこでワード線の層ごとにトラップ層を分け、各セルの電荷を独立させる。