ディフュージョンブレーク（SDB・DDB）形成｜前工程 › 素子分離

ディフュージョンブレーク（SDB・DDB）形成は、標準セルの境界で隣り合うトランジスタの活性領域（拡散層）を切り、セルどうしを電気的に分離する構造を作る工程である。FinFETなどではフィンが連続しているため、セルの境界でフィンを切って分離する必要がある。ダミーゲートの位置で狭く切るSDB（シングルディフュージョンブレーク）は、広く切るDDB（ダブルディフュージョンブレーク）よりセル面積を小さくできる。