mSAP（改良型セミアディティブ法）とは

← 05THEME 06 後工程・パッケージ07 →

mSAP（改良型セミアディティブ法）（Modified Semi-Additive Process）とは、極薄の銅箔を導電下地に使い、レジストの開口へ銅をめっきした後、回路間に残る薄い銅を除く配線形成法です。

厚い銅箔をすべてエッチングする方法に比べ、削る銅を減らせます。一方、下地の銅が厚いほど最後の除去で配線側面も削れるため、初期銅厚とめっき厚を分けて管理します。

mSAP（改良型セミアディティブ法）の仕組み

構造と工程の関係

断面の形を比較すると、回路間の薄い銅を除き、厚く成長した銅を残すことが分かります。図は寸法を規定しない模式図です。

mSAPはSAPと同様に、回路になる開口へ銅を育てます。下地には極薄銅箔を利用し、回路間の下地銅を除去して個々の配線を絶縁します。¹

プリント基板の銅箔を電流の通り道として使い、電解めっきで配線を厚くします。ビア側壁の導電化は別に必要になるため、極薄銅箔の使用がビアの前処理を不要にするわけではありません。

構造と工程の関係

導通と寸法を別々に確認します。シードを除いても、配線と樹脂の界面へ回り込みすぎない条件が必要です。

極薄銅箔のある基板へビアを加工して表面を処理し、必要な導電化を行います。レジスト開口へ銅をめっきし、レジストを剥がして回路間の薄い銅をエッチングします。²

薄い銅箔を支持するキャリアを使う場合は、その剥離と基板への転写も工程に入ります。下地の銅と追加しためっきの厚さを区別して測ります。

初期の銅箔厚、追加した銅厚、回路間の残留銅、配線の側面後退、ビアの導通と密着を管理します。

配線幅はレジスト開口だけでは決まりません。最後の銅除去で幅が変わるので、めっき直後とエッチング後を比較して変化量を切り分けます。

下地銅を薄くすれば微細配線の側面後退を減らせますが、取扱いと導電化の均一性が難しくなります。配線寸法と下地膜の安定性を両立させます。

mSAP（改良型セミアディティブ法）は何をする工程ですか？

極薄の銅箔を導電下地に使い、レジストの開口へ銅をめっきした後、回路間に残る薄い銅を除く配線形成法です。

どの段階で行いますか？

極薄銅箔のある基板へビアを加工して表面を処理し、必要な導電化を行います。レジスト開口へ銅をめっきし、レジストを剥がして回路間の薄い銅をエッチングします。

何を管理しますか？

初期の銅箔厚、追加した銅厚、回路間の残留銅、配線の側面後退、ビアの導通と密着を管理します。

2件を表示